三星玻璃芯基板布局已進入哪個階段？

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三星玻璃芯基板布局已進入工程驗證與量產攻堅階段

三星電子在先進封裝領域的玻璃芯基板布局，已明確邁入工程驗證與量產攻堅階段，其展現出的 150mm × 150mm 超大尺寸、最高可支援 30 層堆疊的能力，以及完整的玻璃通孔（TGV）製程技術，都指向其已具備進入下一階段的關鍵技術與製造能力。
玻璃基板技術演進與三星的關鍵突破

相較於傳統有機基板，玻璃材料在高平整度方面的優勢，使得三星得以在玻璃芯基板上實現更精細的線寬／線距（L/S）與更小的 TGV 間距，進而大幅提升訊號線的佈線密度。三星此次展示的核心規格，如 400 至 1000 微米的玻璃芯厚度，以及 50 至 150 微米的 TGV 通孔直徑，並採用全銅填充（Cu Full Fill）的金屬化方式，都是為了滿足 AI 晶片如加速器與伺服器等級晶片對大尺寸、高密度 I/O 的迫切需求。更值得注意的是，在維持相同或更佳傳輸特性的前提下，玻璃基板能將層數減少 40%，這意味著更緊湊的封裝設計和更高的整合度。
全面性的製程整合與量產準備

三星不僅在材料和結構上取得突破，更揭露了其玻璃芯基板的四大關鍵製程，涵蓋了從雷射改質搭配化學濕式蝕刻形成高長徑比的微細 TGV，到利用金屬種子層沉積與全銅填孔確保低電阻與機械可靠性。隨後的化學機械研磨（CMP）技術，確保了玻璃表面與銅通孔端面的平整度，為亞微米級 RDL 線路圖形化奠定基礎。此外，三星更運用雷射與蝕刻技術在玻璃芯內製作嵌入式腔體（Cavity），以供被動元件嵌入，進一步縮短供電路徑。從這些複雜且精密的製程步驟來看，三星已建立起一套完整的 TGV 製程框架，並展現出最高約 30 層的佈線承載能力，這顯示其已為大規模生產做好充分準備。
效能提升與市場競爭力展望

玻璃基板在克服傳統有機基板的限制方面，展現出顯著的優勢。三星的資料顯示，玻璃基板在常溫下的翹曲度可改善約 69%，高溫條件下甚至可改善 95 個百分點，這對於在高溫運行的 AI 晶片至關重要。同時，耗電量降低 42% 並提升 58 個百分點的電源效率，以及散熱速度提升至約 2.7 倍，都直接回應了 AI 應用對能源效率與散熱表現的嚴格要求。這不僅是技術上的演進，更是三星在 AI 封裝市場中，透過提供更高性能、更節能、更可靠的解決方案來鞏固其競爭地位的戰略部署。

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