中國已在EUV光源、光學系統、真空腔體實現貫通，下一步挑戰為何？

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中國EUV光源技術突破，但關鍵零組件與製程瓶頸仍待克服

中國在極紫外光（EUV）曝光機的研發上已取得階段性進展，首台國產原型機成功出光，標誌著其在光源、光學系統及真空腔體等核心環節實現了初步貫通。這項由國家科技部牽頭，匯集華為、哈工大、上海光機所、清華大學及中科院等機構，總投資估計達 400 億美元的「北京曼哈頓計畫」，旨在構建自主可控的半導體產業鏈。儘管此舉展現了中國在先進製程設備領域的雄心與投入，但與 ASML 等國際龍頭的量產能力相比，後續仍面臨嚴峻的技術挑戰，特別是在關鍵零組件的性能提升與製程整合方面。
反射鏡、光阻劑及檢測技術構成嚴苛的技術門檻

儘管中國的 EUV 原型機已能產生 13.5 奈米波長的光源，但要實現真正意義上的量產，仍需克服多項極具挑戰性的技術瓶頸。其中，對反射率要求極高的鉬/矽布拉格反射鏡是關鍵。這類多層膜反射鏡需要極高的精度和反射效率，以確保光線在多個反射過程中的能量損失最小化，達到先進 EUV 光刻所需的能量密度。此外，EUV 光刻所使用的光阻劑，其靈敏度直接影響曝光時間和生產效率，中國團隊在此材料的研發上仍需突破。同時，EUV 光刻所需的極高解析度對光罩的檢測與量測技術提出了前所未有的要求，任何微小的缺陷都可能導致晶片報廢，這也是一個複雜的工程瓶頸。
備援路徑的佈局展現中國半導體產業的務實策略

面對 EUV 技術量產的重重難關，中國已提前佈局了備援路徑。透過現有的浸潤式深紫外光（DUV）曝光機，並結合自對準四重圖形技術（SAQP），中國已具備生產 5 奈米級晶片的規模化能力。這一策略顯示了中國半導體產業在追求尖端技術的同時，並未放棄對現有成熟製程的深化應用與優化，旨在確保在先進製程尚未完全成熟前，仍能維持一定的晶片生產能力，並為未來可能的技術轉型預留緩衝。這種務實的雙軌並行策略，有助於分散風險並持續推進產業發展。
LDP 技術潛力與市場格局的變革契機

此次中國 EUV 曝光機原型機採用的是雷射誘導放電電漿（LDP）技術，與 ASML 主流的雷射激發電漿（LPP）技術路線有所不同。據報導，LDP 技術在系統體積與功耗方面可能具備潛在優勢，若未來能證明其在性能和成本效益上能與 LPP 技術媲美甚至超越，將可能對現有的 EUV 設備市場格局產生衝擊。ASML 長期以來在 EUV 設備市場的壟斷地位，以及其高昂的設備售價，使得先進製程的擴張成本居高不下。若 LDP 技術路線能成功商業化，將可能打破現有的市場稀缺紅利，為全球先進製程設備的供應鏈帶來新的變數。

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