中國已跨越光源門檻後，反射鏡反射率與光阻劑靈敏度仍是最大變數嗎？

Question

Accepted Answer

是，反射鏡反射率與光阻劑靈敏度仍構成後續量產的最大變數

中國首台全國產化 EUV 曝光機原型機已成功啟動並穩定產生 13.5 奈米極紫外光，代表光源段落的關鍵門檻已被跨過；但真正決定能否走到量產的，仍落在後端光學與材料的「能量回收率」。報導明確指出，後續工程瓶頸包含反射率極高的鉬／矽布拉格反射鏡，以及光阻劑靈敏度，這兩項會直接影響曝光有效能量與圖形解析。

反射鏡反射率之所以是最大變數，因為 EUV 波段的光在光路中必須經由反射鏡多次導引，任何一段反射率不足都會在累積後被放大成有效曝光能量的缺口。報導同時點出「鉬／矽布拉格反射鏡」的反射率要求極高，等於把風險集中在最難用工程手段快速追平的部分；在已完成光源貫通的情況下，反射鏡一旦達不到要求，整機的可用性就會被卡住，難以進入可驗證的量產流程。

光阻劑靈敏度則是把另一種不確定性帶到核心環節：曝光能量能否被有效轉換成可解析的圖形。報導將「光阻劑靈敏度」列為極其嚴苛的挑戰之一，意味著即使反射鏡把光量保住，材料端仍可能因對 EUV 的響應不足而導致解析度與良率壓力。這也解釋了為何中國在 EUV 量產前，仍透過浸潤式 DUV 搭配 SAQP 進行 5 奈米級晶片規模化量產作為備援路徑：當最敏感的環節仍未完全跨越，必須保留可交付的替代路線來承接先進製程需求。

從資本市場與產業稀缺性角度看，這種瓶頸的影響會超出技術層面：ASML 單台 EUV 設備約 1.5 億美元，全球 7 奈米以下先進製程依賴 EUV，且台積電掌握全球約 56% 的 EUV 裝機量。當 2026 年全球 EUV 相關市場規模約 259.3 億美元時，反射鏡反射率與光阻劑靈敏度任何一項若成為量產門檻，就會把「已跨光源」的進展轉化為「仍需驗證的工程可行性」，市場對時間表與擴產節奏的定價也會因此更偏向保守。

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