中國首台全國產化EUV原型機穩定輸出13.5奈米波長代表什麼突破？

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中國首台國產 EUV 原型機成功出光，標誌著其在先進半導體設備鏈的自主化邁出關鍵一步

中國首台全國產化極紫外光（EUV）曝光機原型機成功啟動並穩定產生 13.5 奈米波長的光源，這項技術突破象徵著中國在 EUV 設備的關鍵環節，包括光源、光學系統及真空腔體等方面，已實現初步的技術貫通與自主掌握。此舉不僅為中國半導體產業自主發展注入強心劑，也可能對現有全球先進製程設備供應鏈格局帶來潛在的結構性改變。
LDP 技術路線的潛在優勢與挑戰

中國研發團隊選擇採用雷射誘導放電電漿（LDP）技術路徑，相較於全球龍頭艾司摩爾（ASML）所採用的雷射激發電漿（LPP）技術，LDP 在系統體積與功耗上展現出更小的優勢。這項被稱為「北京曼哈頓計畫」的龐大工程，已投入估計達 370 億歐元（約 400 億美元），並在 EUV 領域累積超過 1200 件專利申請。然而，儘管成功實現光源輸出，後續仍需克服鉬/矽布拉格反射鏡的高反射率要求、光阻劑的靈敏度，以及光罩檢測等一系列嚴峻的工程瓶頸。
華為東莞基地 EUV 試驗性生產的戰略意義

預計於 2026 年第三季啟動的華為東莞基地 EUV 試驗性生產，將是驗證國產 EUV 技術可行性與生產能力的關鍵實踐。此舉若能順利推進，意味著中國不僅在技術研發上取得突破，更能將其轉化為實際的生產力，為先進製程晶片的國產化奠定基礎。目前，全球 7 奈米以下先進製程高度依賴 EUV 技術，而 ASML 的單台設備售價高達 1.5 億美元，市場規模預計在 2026 年達到 259.3 億美元，台積電更掌握了全球約 56% 的 EUV 裝機量。
DUV 技術作為備援路徑的策略佈局

在 EUV 技術完全成熟量產之前，中國已透過浸潤式深紫外光（DUV）曝光機配合自對準四重圖形（SAQP）技術，實現了 5 奈米級晶片的規模化量產。這項備援路徑的策略佈局，確保了在先進製程領域的持續推進，即使在面臨 EUV 技術瓶頸時，仍能維持一定的生產能力。若 LDP 技術路徑最終能證明具備更高的功耗效率，進而對現有的 ASML 為首的供應鏈範式產生衝擊，將可能重塑先進製程設備的市場結構與稀缺性紅利。

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