中國EUV後續仍卡在反射鏡反射率、光阻劑與光罩檢測，最可能拖慢量產的瓶頸是什麼？

Question

Accepted Answer

中國EUV量產最可能受限於鉬/矽反射鏡的技術門檻

中國首台EUV曝光機原型機的成功出光，標誌著其在光源技術上取得突破，但距離商業化量產仍面臨嚴峻挑戰，其中鉬/矽布拉格反射鏡的極高反射率要求，將是量產進程中最可能造成延遲的關鍵瓶頸。
反射鏡技術的極致要求對比現有產能

EUV曝光機的核心在於其對極紫外光的極致操控，而這很大程度上依賴於精密的光學元件。中國研發團隊選擇的LDP（雷射誘導放電電漿）技術，雖然在系統體積與功耗上具備潛力，但要將13.5奈米波長的EUV光精確導引至晶圓上，需要一系列高度複雜的反射鏡。這些反射鏡由數十層鉬/矽多層膜構成，每層膜的厚度僅為原子級別，且需要達到極高的反射率。ASML的EUV設備之所以能達到90%以上的反射率，是經過數十年技術積累和數十億美元的研發投入才實現的。中國團隊即便已在光源上取得進展，但要製造出同樣高精度、高反射率的鏡面，並保證其在真空環境下長期穩定運行，將是一項艱鉅的工程挑戰，可能需要數年甚至更長時間的良率爬坡。
光阻劑與光罩檢測為次要但不可忽視的障礙

除了反射鏡，光阻劑的靈敏度以及光罩的檢測與修復也是EUV量產的關鍵環節。高靈敏度的光阻劑能夠在較短的曝光時間內在晶圓上形成精細圖案，進而提高生產效率。而EUV光波長極短，對光罩的缺陷極為敏感，任何微小的瑕疵都可能導致晶片失效，因此需要極高精度的檢測與修復技術。然而，相較於反射鏡技術的根本性難度，光阻劑和光罩檢測在技術發展上已有較多前例可循，雖然仍需突破，但其對量產時間的影響可能不如反射鏡技術那樣具有決定性。中國已透過DUV配合SAQP技術實現5奈米級晶片的規模化量產，這說明在圖形轉移和檢測方面已累積一定經驗，為後續EUV的圖形轉移挑戰提供了部分基礎。

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