中國EUV曝光機若具功耗優勢，對現有供應鏈將造成何種衝擊？

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中國 EUV 曝光機若具功耗優勢，將重塑先進製程設備的市場格局

中國首台極紫外光（EUV）曝光機原型機的成功啟動，若其採用的雷射誘導電漿（LDP）技術路徑最終證明具備顯著的功耗效率優勢，將對現有以艾司摩爾（ASML）為首的半導體設備供應鏈範式構成潛在衝擊，並可能改變先進製程設備的市場稀缺性紅利。
LDP 技術的潛在優勢挑戰 ASML 的 LPP 領導地位

與 ASML 採用的雷射激發電漿（LPP）技術不同，中國研發團隊選擇的 LDP 技術在系統體積與功耗方面展現出更小的潛在優勢。這意味著，一旦 LDP 技術成熟並實現大規模部署，其在能源效率上的突破可能為先進製程設備的市場帶來新的選擇，進而挑戰 ASML 在 EUV 領域的壟斷地位。華為東莞基地預計於 2026 年第三季啟動 EUV 試驗性生產，這將是 LDP 技術商業化潛力的首次驗證。
龐大國家級投資與專利積累為技術突破奠定基礎

這項被稱為「北京曼哈頓計畫」的發展，由國家科技部牽頭，整合了華為、哈工大、上海光機所、清華大學及中科院等多方資源，總投入估計高達 370 億歐元（約 400 億美元）。截至 2026 年 6 月，中國在 EUV 領域的專利申請量已累計超過 1200 件。如此龐大的資源投入和技術研發積累，為其在 EUV 光源、光學系統及真空腔體等環節實現初步貫通奠定了堅實基礎，並為其技術路線的長期發展提供了有力支持。
市場稀缺紅利可能轉移，改變先進製程設備定價權

目前，全球 7 奈米以下先進製程晶片高度依賴 EUV 技術，而 ASML 的 EUV 設備售價高達約 1.5 億美元，台積電更是掌握了全球約 56% 的 EUV 裝機量。若中國的 LDP 技術能夠在功耗效率上取得突破並實現商業化，將可能削弱現有 EUV 設備的市場稀缺性，進而影響其高昂的定價能力。這不僅會為中國本土半導體產業提供更具成本效益的先進製程設備選項，也可能引發全球先進製程設備市場的供應鏈重塑。

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