在EUV量產前以DUV與SAQP進行備援，能否確保5奈米級規模化供給？

Question

Accepted Answer

中國以 DUV 與 SAQP 的備援路徑，在 EUV 量產前難以確保 5 奈米級的規模化供給

儘管中國已透過浸潤式深紫外光曝光機 (DUV) 配合自對準四重圖形技術 (SAQP) 進行 5 奈米級晶片的規模化量產，但此備援路徑能否真正確保穩定的大規模供給，仍面臨諸多不確定性。此技術組合雖能作為 EUV 量產前的過渡，但其良率、成本效益以及與 EUV 技術的潛在差距，決定了其作為長期解決方案的局限性。
DUV+SAQP 的技術局限性限制規模化供給

DUV 光刻技術，即使結合 SAQP 等多重圖案化技術，在物理極限上仍與 EUV 技術存在差距。SAQP 技術透過多次塗佈與蝕刻來實現更精細的線寬，但每次疊加都會帶來額外的良率損失與製程複雜度。相較之下，EUV 光刻利用 13.5 奈米波長，理論上能更直接地實現更先進的製程節點，且步驟更少。因此，即使中國已能利用 DUV+SAQP 進行 5 奈米級晶片的量產，其良率、生產週期及潛在的缺陷密度，可能難以與成熟的 EUV 工藝相提並論，進而影響大規模、高品質的供給能力。
潛在的供應鏈風險與成本考量

中國發展自主半導體鏈路，尤其是在 EUV 領域，投入了龐大的資源，預計達 400 億美元，並已申請超過 1200 件專利。然而，EUV 技術涉及極端複雜的工程挑戰，包括光源、高反射率鏡片（鉬/矽布拉格反射鏡）、光阻劑靈敏度以及光罩檢測等。即使中國首台 EUV 曝光機原型機已成功出光，但從原型機到大規模商業化量產，仍有漫長的工程驗證與良率提升過程。在 EUV 設備尚未成熟前，過度依賴 DUV+SAQP 作為 5 奈米級的唯一備援路徑，將面臨設備供應、關鍵材料獲取以及技術瓶頸突破等潛在風險，這些都可能成為規模化穩定供給的阻礙。
EUV 路線的長期影響力

中國在 EUV 技術上選擇 LDP (雷射誘導放電電漿) 路徑，相較於 ASML 的 LPP (雷射激發電漿) 技術，聲稱具有系統體積更小、功耗更低的優勢，有利於未來規模化部署。若 LDP 技術路徑最終證明可行且能達到商業化標準，確實可能對現有以 ASML 為首的供應鏈格局產生衝擊。然而，目前全球 7 奈米以下先進製程晶片高度依賴 EUV 技術，且台積電已掌握全球約 56% 的 EUV 裝機量。在這些先進製程的技術演進與市場佔有率上，EUV 技術的成熟度與普及度仍是關鍵。在 EUV 量產真正成熟並廣泛應用前，DUV+SAQP 的備援策略，其供給的規模與穩定性，尚難以完全取代 EUV 的潛在能力，尤其是在追求極致先進製程的市場需求下。

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