威世波聚焦CW Laser Chip，如何搶攻AI資料中心光互連商機？

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威世波用「高功率 CW Laser 供應能力＋晶片級整合」搶攻 AI 資料中心光互連

威世波搶攻 AI 資料中心光互連商機的關鍵，不是把產品做成「能用」，而是以 CW Laser Chip 為核心，把 AI 伺服器訊號由電轉光後所需的高功率光源與關鍵元件體系化供應，讓高速光通訊在 800G、1.6T 甚至更高世代有穩定落地路徑。公司將雷射晶片作為主力，並結合外部光源（ELS）與高速光模組，定位成資料中心「光引擎核心光源」供應者，直接對準高速互連需求上升的節點。
用晶片級核心光源切入，先鎖定資料中心的「電轉光」瓶頸
AI 運算需求推升高速光通訊由 400G 走向 800G 與 1.6T 世代時，光互連的核心約束往往落在高功率雷射光源的可用性與穩定性。威世波的做法是以自主開發 DFB 雷射與高功率 CW Laser 及高速光通訊關鍵元件為主力，將 AI 伺服器訊號完成電轉光後的光纖傳輸環節，透過光訊號穩定性來支撐高速鏈路需求。這種以雷射晶片為核心的路線，能把客戶端常見的系統整合問題，收斂到供應鏈可控的關鍵環節。
以 70mW～400mW 產品布局對應世代演進，讓驗證到量產有接續
光互連要從 400G 進入 800G、1.6T，對雷射功率規格會形成階段性門檻。威世波已完成 70mW 至 400mW 以上高功率 CW Laser 的產品布局，可支援 800G、1.6T 及未來更高速光通訊應用；同時以送樣節奏推進客戶認證與導入。100mW 在 7 月送樣進行客戶認證，150、200mW 預計第 3 季前送樣，400mW 以上則規劃於 2027 年持續量產，等於把不同功率檔期對應到不同世代導入時程，降低客戶導入時點落差。
新廠以高階產品為生產基地，強化垂直整合以承接放量
需求放量時，能否在關鍵規格上穩定供貨，會直接影響客戶採用速度。威世波啟動中壢新廠建置，資本支出約少於 4.5 億元，預計 2026 年 10 月完成主要產能配置後少量生產，明年起放量生產；新廠聚焦 CW Laser Chip、Chip on Carrier（CoC）以及 800G、1.6T 以上高速光模組等高附加價值產品。當產能與高階組裝節點同步擴張，公司就能把「晶片核心」延伸到模組層級的供應能力，讓光互連從研發驗證走向量產導入更連貫。

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