投資者從追漲轉入風險甄別後，記憶體超級周期是否仍在延續？

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記憶體超級周期仍在延續，市場回檔更像風險甄別而非需求逆轉

美銀在全球記憶體技術周報中的核心判斷是：投資者已從「單純追漲」進入「風險甄別」，但記憶體的「超級周期」尚未結束。7 月 2 日 AI 與半導體類股集中拋售，確實引發「漲價見頂」質疑；然而該回檔被定性為情緒擾動，並未改變供需的主軸。
三大利空指向的不是需求見底，而是情緒擾動的集中釋放

第一，Meta 出租 AI 算力被市場解讀為內部算力過剩，但美銀追查後認為 Meta 仍在積極採購 HBM、LPDDR5 與企業級 SSD，且長期訂單呈現增強趨勢。這意味著「外部化閒置產能」更可能是資產周轉與收入模式調整，而非 AI 基礎設施需求停止。

第二，長鑫儲存可能進入 iPhone 供應鏈，市場擔心會削弱三星、SK 海力士與美光的定價能力；美銀的關鍵在於門檻。要大規模進入蘋果鏈，需跨越美國對中國半導體限制、通過嚴苛規格認證（如 10Gbps 以上速度與功耗要求），並承擔潛在知識產權風險；即便進入低階機型，預計出貨規模也不大，因此不足以改寫全球 DRAM 供需結構。

第三，南韓政府 800 兆韓元半導體投資計畫被視為未來供給壓力，但美銀認為在 2033 年前難有實質產能貢獻。產能擴張重心仍集中在 HBM 等高價值產品，且先進製程與封裝的技術約束比傳統 DRAM 更強，使「無預警供給過剩」不易發生。
價格與資本支出訊號支撐高位延續：合約價上調與高階產能壓縮

價格端的量化訊號是 TrendForce 上調 DRAM 合約價預測：2026 年第三季預期季增 13% 至 18%。同時，南韓 6 月半導體出口額達 448 億美元，年增率 199.5%，且已連續六個月實現三位數增長，反映產業景氣並非同步轉弱。

更關鍵的機制在於：AI 資本支出持續擴張，並由 HBM、DDR5 等高階記憶體持續壓縮通用產能。當需求擴張與供給結構偏向高價值品項同向運行時，市場的短期回檔就更像是對過熱預期的修正，而非超級周期的終點。

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