明年HBM產能將佔DRAM近三成，傳統DRAM供應為何承壓？

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HBM產能擴張將結構性壓縮傳統DRAM供應空間

明年高頻寬記憶體（HBM）佔動態隨機存取記憶體（DRAM）總晶圓產能比例預計將攀升至近30%，此一結構性轉變，將直接壓縮傳統DRAM的產出空間，加劇市場供應緊張。三星電子執行副總裁Kim Taewoo已明確指出，HBM與傳統DRAM爭奪的是同一批先進製程晶圓產能，當HBM產能顯著擴張時，必然會排擠傳統DRAM的生產配額。
HBM產能擠壓效應的量化預測

根據三星高層預計，HBM佔DRAM晶圓總產能的比例將從目前的約20%躍升至明年的近30%。這意味著，在相同的先進製程產能基礎下，HBM的生產將佔據更多的資源。若以目前全球DRAM晶圓總產能為基數，增加10%的HBM產能份額，就代表著傳統DRAM的產能將減少10%。這種資源分配上的轉移，是導致傳統DRAM供應承壓的直接原因。
記憶體市場供需失衡的長期化趨勢

不僅是短期產能分配的壓力，從更長遠的市場預期來看，HBM的供應受限與價格預期上漲，預示著這種緊張態勢將長期化。市場研究機構TrendForce預計，至2027年，HBM的混合平均售價預計將上漲121%，這主要歸因於持續的供應限制、更高規格HBM4的滲透率提升，以及HBM4E的逐步放量。這種高價與高需求預期，將驅動更多廠商將有限的先進製程產能優先配置給HBM，進一步加劇傳統DRAM的供應短缺。
HBM4架構演進與成本考量對市場的潛在影響

值得注意的是，為緩解GPU和ASIC廠商因HBM成本快速上升而考慮降低單顆晶片的HBM搭載容量，8層HBM預計將成為2027年多家廠商優先評估的方案。然而，即便層數減少，由於每個HBM堆疊仍需一顆基礎裸片，其成本下降幅度並非線性。TrendForce預計，2027年8層HBM每Gb的售價仍將比12層產品高約10%至20%。這顯示，即使架構有所調整，HBM的高成本結構及其對資源的佔用，仍將持續對整體DRAM市場的供需平衡產生結構性壓力。

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