汎銓的兩大核心技術，如何解決CPO良率下滑痛點？

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汎銓的兩大核心技術有效解決 CPO 良率下滑痛點

汎銓透過其自主研發的矽光子分析設備，整合了「底部影像感測精準抓漏」與「主動式熱偏移補償」兩項關鍵技術，旨在直擊目前 CPO (Co-Packaged Optics，共封裝光學) 晶片良率下滑的核心痛點，即光損偵測的挑戰。
底部影像感測精準抓漏，提升光損偵測的精確性

「底部影像感測精準抓漏」技術的應用，能夠顯著提升對 CPO 晶片內部光學路徑的偵測能力。傳統的偵測方式可能難以精確定位並量化微小的光損，而此技術透過底部影像感測，可以更細緻地捕捉光訊號的傳輸情況，進而精準地識別出造成良率下滑的光損點。這對於需要高密度、高效率光訊號傳輸的 CPO 產品而言，是確保其效能與可靠性的關鍵。
主動式熱偏移補償，穩定光學元件效能

「主動式熱偏移補償」技術的導入，則能有效應對 CPO 晶片在運作過程中可能遇到的溫度變化問題。半導體元件在不同溫度下，其物理特性可能產生偏移，進而影響光學元件的對準與效能，導致光損增加。汎銓的這項技術能夠主動偵測並補償這些由溫度引起的偏移，確保光學元件在各種操作環境下都能維持穩定的效能，從根本上降低因熱效應造成的光損。
設備銷售與專利授權，擴大技術效益

汎銓不僅將這兩大核心技術整合於自研設備中，更規劃了多元的營運模式來擴大其影響力。除了提供廠內分析服務，汎銓也計畫直接銷售此一 Debug 標配設備給急需提升良率的客戶，並透過在台、美、日、韓等四國取得的關鍵專利，進行專利授權給產線設備商。這種多軌並行的策略，預計將使其在 CPO 良率提升的市場商機中，扮演更為關鍵的角色。

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