為何大摩認為記憶體減半是真實短缺而非需求降溫？

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摩根士丹利認為輝達 Vera Rubin NVL72 機架的 SOCAMM DRAM 容量調整是真實短缺而非需求降溫，主要基於以下幾點判斷。
DRAM 供應短缺是機架調整的根本原因

摩根士丹利半導體分析師 Joseph Moore 證實了輝達 Vera Rubin NVL72 機架的 SOCAMM DRAM 容量從預期的 55TB 降至 28TB，並採用 96GB 模塊而非 192GB 版本。然而，他強調這並非市場解讀為 AI 需求降溫的跡象，而是為了將 DRAM 短缺對機架銷售的衝擊降至最低。輝達及雲計算客戶實際上願意購買「能夠獲得的每一 GB SOCAMM 內存」，一旦供應狀況改善，將立即恢復至更高配置。此舉是真實供應短缺存在的直接證據，而非由於重複訂購窗口期或需求減弱所致。
DRAM 與 NAND 市場數據印證供應緊繃格局

支持摩根士丹利判斷的關鍵數據來自半導體行業協會（SIA）的報告。數據顯示，在 4 月份，DRAM 的銷售額同比增長高達 375.3%，而 NAND 的銷售額同比增長亦達到 366.0%。這兩項數據均創下了歷史新高，並連續九個季度的平均價格同比增長呈現加速趨勢。這種強勁的銷售數據表明，市場對 DRAM 和 NAND 的需求依然旺盛，且價格持續上漲，這與需求降溫的論調背道而馳，反而強化了供應端面臨嚴峻挑戰的判斷。
記憶體瓶頸預期延續，短期難以緩解

輝達執行長黃仁勳已明確表示，內存短缺問題預計將持續數年，並已與 SK 集團進行會談以確保供應鏈的協調。SK 集團會長崔泰源更是預計，內存瓶頸將持續到 2030 年。摩根士丹利進一步指出，HBM（高頻寬記憶體）消耗約三倍的晶圓產能，而潔淨室和 EUV 設備的產能約束在短期內難以突破。這意味著 DRAM 的供給將處於緊平衡的格局，預計將持續 2-3 年甚至更長時間。即使將 SOCAMM DRAM 容量減半，對整體全球 DRAM 市場的需求影響也僅佔約 2% 出頭，這不足以構成實質性的需求萎縮信號。
成本結構顯示記憶體是關鍵瓶頸

根據伯恩斯坦分析師的報告，Vera Rubin NVL72 單個機架的成本高達約 910 萬美元，其中內存與記憶體成本佔據了約 320 萬美元。這一數字凸顯了記憶體在 AI 基礎設施建置中的關鍵地位及其高昂成本。高昂的記憶體成本，加上 HBM 產能的結構性約束，共同指向了記憶體供應鏈的瓶頸。若 AI 需求真的降溫，輝達與 SK 海力士等大廠不會在高漲的市場預期下加強戰略合作，其背後反映的是對未來市場需求的持續看好，以及對當前供應限制的深刻認知。

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