英特爾里奧蘭喬廠區已導入哪些先進封裝技術？

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英特爾里奧蘭喬廠區已成為先進封裝技術的關鍵樞紐，特別是在玻璃基板領域的創新布局

英特爾位於美國新墨西哥州里奧蘭喬（Rio Rancho）的封裝工廠，正透過改造計畫，朝向成為全球首座玻璃基板量產基地邁進，這項戰略轉型標誌著其在先進封裝領域的重大突破。該廠區自2021年起便已專注於先進封裝技術的導入與發展，並已成功整合了包括EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）及Foveros在內的多項關鍵技術。這些技術的應用，不僅提升了封裝密度與晶片互連效能，更為未來AI晶片與大型運算平台所需的更高集成度與更佳的散熱表現奠定了基礎。
EMIB與Foveros技術的整合，實現多晶片異質整合

里奧蘭喬廠區導入的EMIB技術，是一種先進的2.5D封裝技術，它利用微小的橋接器嵌入基板中，實現多個獨立晶片（Die）的高密度、高頻寬互連。這使得英特爾能夠將不同的功能晶片（如CPU、GPU、I/O晶片等）在一個封裝體內進行高效整合，克服了傳統單晶片設計的限制。而Foveros技術則是英特爾的3D堆疊封裝技術，允許晶片在垂直方向上進行堆疊，進一步提高了封裝密度和性能，同時也為實現更小的封裝尺寸提供了可能。這兩項技術的結合，讓英特爾能夠在里奧蘭喬廠區實現複雜的異質整合（Heterogeneous Integration），為AI及高效能運算（HPC）等對封裝技術要求極高的應用場景，提供更具競爭力的解決方案。
玻璃基板的戰略佈局，預示著AI時代封裝新趨勢

此次里奧蘭喬廠區計畫改造成為全球首座玻璃基板量產基地，是英特爾為迎接AI時代對封裝技術日益增長的需求所做的前瞻性佈局。相較於傳統的有機基板，玻璃基板在平整度、尺寸穩定性及熱膨脹係數等方面具有顯著優勢。更佳的平整度能有效減少封裝過程中的翹曲問題，進而提升封裝良率與可靠性；而更高的尺寸穩定性則允許更精密的線路佈局，實現更高的封裝密度與更佳的電氣性能。這對於需要集成更多高性能晶片、且對功耗與散熱有嚴苛要求的AI加速器、資料中心處理器等產品而言，至關重要。此外，里奧蘭喬廠區也已開始對外供應矽光子（Silicon Photonics）產品，顯示其在光互連領域的技術實力，這與共封裝光學（CPO）技術的發展趨勢相契合，預示著未來資料中心在傳輸速度與能效上將有顯著提升。

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