記憶體廠商將新增產能優先投向DRAM/HBM綠地擴產，而非NAND，這將對NAND市場產生什麼影響？

Question

Accepted Answer

NAND市場將迎來結構性缺口，記憶體廠商產能配置決策是關鍵

記憶體製造商將新增產能優先配置於DRAM與HBM，而非NAND，此舉將導致NAND市場在2027年出現6.1%的供需缺口，並於2028年延續至5.5%。此一結構性失衡源於廠商對未來市場需求的判斷差異，以及對資本支出的戰略性考量。
AI持續學習推升eSSD需求，緩慢供給增長難以滿足

AI從「訓練完成即參數固定」轉向「持續學習」的範式轉移，是推動企業級SSD（eSSD）需求爆炸性增長的核心驅動力。持續學習模式要求AI系統不斷吸收新資訊並保留既有數據，這直接催生了對海量歷史數據的長期保存與快速檢索能力的需求，進而將eSSD推向高景氣區間。花旗預測，2027年eSSD需求年增率將達52.9%，整體SSD需求成長率約為45.0%。然而，在此需求強勁增長的同時，NAND供給端的增長卻顯得相對緩慢。預計2027年NAND市場的晶圓產能僅小幅成長3.2%，至每月146.0萬片。其中，三星電子的NAND產能預計將下降4.7%，SK海力士與美光則大致持平，整體供給增速遠不及需求的爆炸性擴張。
產能配置策略傾斜，加劇NAND市場供需失衡

記憶體廠商將新增產能優先投向DRAM/HBM綠地擴產，而非NAND，是造成NAND市場供需缺口擴大的直接原因。此決策反映了廠商對不同記憶體產品市場前景的戰略評估。儘管消費級NAND市場面臨手機、PC出貨疲軟的壓力，但AI推理相關需求，特別是中國AI資料中心考慮以SSD取代HDD的趨勢，足以抵銷此缺口。花旗預計，2027年NAND整體需求年增率將達到29%，而供給增速僅為21%；至2028年，需求年增率更上看33%，供給增速卻僅為25%。這種供需增速的顯著差異，預示著NAND市場將面臨結構性的供應短缺。

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