輝達執行長黃仁勳喊話 DRAM 廠商放心擴產，背後透露哪些 AI 記憶體需求的關鍵訊號？

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黃仁勳喊話 DRAM 廠商擴產，揭示 AI 記憶體需求關鍵訊號

輝達 (Nvidia) 執行長黃仁勳在摩根士丹利科技大會上向全球記憶體產業釋出強烈訊息，表示 DRAM 廠商可放心擴產，輝達將全數買單。此舉顯示 AI 浪潮帶動的記憶體需求將持續爆發，並打破市場對記憶體、晶圓等資源限制可能成為 AI 產業發展瓶頸的疑慮。黃仁勳強調，在資金與規模優勢下，輝達能在供應鏈中提前鎖定關鍵資源，從晶圓到記憶體再到封裝產能都能提前布局，因此能在供應受限的環境中受益。
AI 晶片升級帶動 HBM 需求，供應鏈備戰 HBM4

隨著 AI 晶片持續升級，記憶體需求也大幅提升。輝達的 GB300 AI 晶片支援的高頻寬記憶體 (HBM) 容量已提升至 288GB，高於上一代 GB200 的 192GB。即將推出的下一代 AI 平台 Vera Rubin 雖維持 288GB HBM 容量，但將從 HBM3E 升級至 HBM4 規格。HBM4 採用 16 層堆疊設計，相較 HBM3E 的 12 層堆疊製程更加複雜，也意味著需要消耗更多記憶體產能。韓國兩大記憶體廠三星電子與 SK 海力士已納入 Vera Rubin 平台的 HBM4 供應鏈，最快可能在本月啟動量產。市場預估 2026 年 SK 海力士將取得輝達超過一半的 HBM 採購量，而三星則有望拿下 Vera Rubin 平台專用 HBM4 的大部分訂單。
記憶體廠競逐 HBM 市場，SK 海力士維持領先地位

在供應結構方面，產業預測顯示，SK 海力士仍將以約 50% 的全球 HBM 位元產能占比維持龍頭地位，但較 2025 年的 59% 略有下降；三星則可望將全球市占從 20% 提升至 28%，追趕態勢明顯。整體而言，黃仁勳的喊話不僅為記憶體廠商提供了明確的需求前景，也預示了 AI 應用對高效能記憶體的強勁需求，以及記憶體供應商在 AI 領域的競爭態勢。

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