輝達計畫在其即將推出的 AI 加速器「Vera Rubin」中引入何種新型 NAND，這將對全球供應量產生什麼影響？

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輝達 Vera Rubin 加速器將導入新型 NAND，預計衝擊全球供應量達 9.3%

輝達在其即將發表的 AI 加速器「Vera Rubin」中，計劃整合名為「推理上下文記憶體儲存」(ICMS) 的新型 NAND 技術。此舉預計將消耗全球 NAND 總供應量的 9.3%，進一步加劇市場本已緊張的供需關係。

此項策略性部署顯示輝達不僅專注於運算單元，更積極介入上游關鍵零組件的技術革新，旨在透過整合新型儲存解決方案來提升其 AI 加速器的整體效能，同時應對 AI 產業日益嚴峻的能源消耗挑戰。
鐵電 NAND 技術的潛在優勢

鐵電 NAND 技術被視為解決當前記憶體短缺與 AI 資料中心高功耗問題的關鍵。其理論上可實現高達 1000 層的垂直堆疊，並將功耗降低高達 96%，這對於需要龐大運算能力和高效率的 AI 工作負載至關重要。輝達與三星的合作，正是加速此項前瞻性技術商業化的重要推手。
NAND 供應吃緊形勢加劇

根據 Omdia 的數據，全球 NAND 晶圓出貨量自 2022 年的 2138.7 萬片高點後持續下滑，預計 2023 年將降至 1540.8 萬片，即便到 2028 年也僅能回升至 1761 萬片，遠遠落後於市場需求的增長速度。在此背景下，輝達 Vera Rubin 加速器對新型 NAND 的需求，預計將佔據全球總供應量的 9.3%，無疑將對現有供應鏈帶來額外的壓力。
AI 產業的能源消耗挑戰

AI 應用的爆炸性成長伴隨著巨大的能源消耗。國際能源總署預測，全球 AI 資料中心的耗電量將從 2024 年的約 450 太瓦時，激增至 2030 年的 950 太瓦時以上。鐵電 NAND 技術在降低功耗方面的潛力，對於緩解此一問題具有重要意義，這也是輝達積極推動其商業化的重要考量。
輝達對前瞻技術的策略性投資

輝達不僅在新型 NAND 技術上投入，近期也向矽光子學企業注資，並成立量子研究中心，顯示其對未來運算架構和關鍵技術的廣泛佈局。與三星在鐵電技術上的合作，是其強化儲存解決方案、確保未來產品競爭力的重要一步。
鐵電 NAND 技術的產業競爭格局

鐵電材料因其可在無外部電場下維持極化狀態的特性，能顯著降低工作電壓，實現更高密度的整合。三星在鐵電器件領域擁有領先的專利佈局，並正積極朝向 1000 層堆疊的目標邁進。儘管中國北京大學也宣布研發出 1 奈米鐵電晶體管，顯示該領域的競爭日益激烈，但三星與輝達的合作，將加速鐵電 NAND 的商業化進程。

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