鉬/矽反射鏡與光阻劑的工程瓶頸，中國預計何時能突破？

Question

Accepted Answer

鉬／矽布拉格反射鏡與光阻劑的工程瓶頸，最早也要等到 2026 年第三季後的 EUV 試驗性生產驗證才能判斷是否接近突破

目前唯一能落到時間軸上的節點是華為東莞基地預計於 2026 年第三季啟動 EUV 試驗性生產；這表示在此之前，反射鏡與光阻劑這兩個關鍵環節更偏向於「能否在原型體系中穩定工作」的工程爬坡，而非已完成可量產的驗證。文章已明確指出，中國已跨越光源門檻、原型機能穩定產生 13.5 奈米波長極紫外光，但後續仍卡在極高反射率的鉬／矽布拉格反射鏡、光阻劑靈敏度，以及光罩檢測等瓶頸，因此「突破何時」必須綁定後續量產前的工程驗證週期，而非只看曝光機原型出光。

鉬／矽反射鏡的瓶頸核心在於「反射率要求極高」；在 EUV 光學系統中，反射鏡鍍膜與表面品質會直接影響能量損失與成像效率，若良率或長期穩定性無法達到量產門檻，就會讓原型的穩定出光難以轉化成可重複的製程能力。文章雖提到截至 2026 年 6 月中國 EUV 專利申請量累計超過 1200 件，顯示研發活躍度，但專利數量並不能等同於反射鏡鍍膜良率與量產驗證已完成，因此無法在現有資訊下推定一個具體「已突破」年份。

光阻劑瓶頸則落在「靈敏度」層面；EUV 曝光的光化學效率與材料反應窗口，會影響曝光劑量、線寬控制與缺陷風險，進而牽動整體製程良率。文章只指出存在此瓶頸，卻未提供光阻劑靈敏度提升到可量產水準的時間表；在缺少具體里程碑（例如可量產驗證完成的日期）時，唯一可用的時間錨仍是 2026 年第三季的試驗性生產，屆時才可能從實際製程結果反推材料端是否真正跨過工程門檻。

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