長江存儲控美光專利侵權，涉及哪些3D NAND製造技術？

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長江存儲德國勝訴，禁制令敲響美光3D NAND技術關鍵環節

德國慕尼黑第一地區法院的判決，不僅是長江存儲在全球專利爭端中的一次關鍵性勝利，更精準地指向了美光在3D NAND快閃記憶體製造技術上的兩項核心環節：三維儲存元件的階梯結構，以及三維NAND記憶體中字線接觸的阻擋層。此禁制令的核發，要求美光停止在德國銷售涉案侵權產品，勢必對美光的供應鏈與市場策略構成嚴峻挑戰。
階梯結構與阻擋層是3D NAND的關鍵成型技術

長江存儲此次成功取得禁制令的兩項德國實用新型，DE202020006166U1與DE202021004551U1，分別聚焦於3D NAND快閃記憶體製造的兩個關鍵成型技術。第一項涉及「三維儲存元件的階梯結構」，這直接關乎記憶體儲存單元在立體空間中的堆疊方式與空間利用率，是影響NAND Flash密度與效能的基礎。第二項則針對「三維NAND記憶體中字線接觸的阻擋層」，此技術對於確保字線與接觸層之間的電氣連接穩定性至關重要，直接影響數據讀寫的可靠性與速度。這兩項技術的突破，是長江存儲在3D NAND技術自主研發上取得實質性進展的體現。
禁制令為長江存儲提供重大談判籌碼

自2023年11月爆發全球專利爭端以來，長江存儲在與美光的專利訴訟中，這是首次獲得實質性的禁制令勝訴。此判決不僅是對長江存儲技術實力的認可，更為其在全球範圍內的專利訴訟提供了重要的談判籌碼。儘管美光已迅速表示不服並提起上訴，並質疑德國實用新型的有效性，但禁制令的潛在執行效力，以及長江存儲在慕尼黑地方法院針對其他專利提起的另外三起訴訟，都顯示了長江存儲在專利戰略上的積極推進。此類專利糾紛的擴散，已延伸至美國、英國及歐洲統一專利法院，預示著全球半導體產業的專利競爭將日趨白熱化。

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