長鑫存儲LPDDR6導入雙子通道，將如何突破現有手機傳輸瓶頸？

Question

Accepted Answer

長鑫存儲LPDDR6導入雙子通道，將透過架構革新與精準調校，大幅提升行動裝置的記憶體傳輸效率。

長鑫存儲新一代 LPDDR6 記憶體，藉由導入雙子通道架構與 24-bit 原生 I/O 設計，有效克服了傳統單通道架構在高頻寬需求下的瓶頸。此舉不僅能將峰值頻寬較 LPDDR5X 提升 60%，更在功耗上實現 20% 的降低，為搭載旗艦手機帶來更流暢的使用體驗與更長的續航力。
雙子通道架構與 24-bit 原生 I/O 協同增效，擴展傳輸頻寬

雙子通道架構的引入，意味著記憶體控制器得以同時存取兩個獨立的記憶體通道，而非以往僅能單向讀寫。這如同將一條雙向車道拓寬為兩條獨立的單向車道，大幅增加了數據傳輸的總量。搭配 24-bit 的原生 I/O 設計，相較於傳統的位元寬度，能夠在每一次傳輸週期中傳送更多數據，這兩項技術的結合，直接提升了記憶體的總體傳輸頻寬，使手機 SoC 能夠更快地獲取所需數據，尤其在處理高解析度影音、複雜遊戲或多任務處理時，能顯著減少延遲。
精準參數調校與先進能效管理，兼顧效能與功耗

為確保雙子通道的高效運作，LPDDR6 引入了「獨立調校預加重與訊號均衡參數」。預加重（Pre-emphasis）是在訊號傳輸前，先對訊號進行適度加強，以補償訊號在傳輸通道中衰減的部分；訊號均衡（Equalization）則是在接收端，對接收到的訊號進行補償，以抵銷傳輸過程中產生的失真。透過為每個通道獨立設定這些參數，得以精準優化訊號完整性，確保在高頻率下數據傳輸的穩定性與準確性。輔以「雙軌 DVFS」（Dynamic Voltage and Frequency Scaling）與「動態效率模式」，系統能根據實際工作負載，動態調整電壓與頻率，並優化運作模式，在保證效能的同時，最大化能源效率。
強化安全機制與散熱設計，提升整體可靠性

除了效能上的突破，長鑫存儲 LPDDR6 在安全與散熱方面也進行了強化。新增的「每行啟動計數（PRAC）」安全機制，透過監控記憶體單元的讀取與寫入次數，能有效預防「行錘攻擊」（Row Hammer Attack）等潛在的資料損毀或竊取風險。同時，採用「高導熱 High K EMC 塑封料」的封裝技術，能夠將顆粒的熱阻降低約 40%，顯著改善記憶體模組的散熱表現。這不僅有助於維持記憶體在長時間高負載下的穩定運作，更能延長產品的壽命，為旗艦手機提供更可靠的後盾。

閱讀紀錄

隱藏 →

此記錄會在頁面關閉後消失

長鑫存儲LPDDR6導入雙子通道，將如何突破現有手機傳輸瓶頸？

Loading

你覺得這篇文章有幫助嗎？

有幫助

沒幫助

回報問題

2

0

0

分享給好友