長鑫科技G5平台記憶體陣列半間距微縮至11.95奈米的意義？

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長鑫科技G5平台藉由11.95奈米半間距微縮，大幅提升DRAM的容量與效率

長鑫科技G5平台將記憶體陣列主動區的半間距微縮至11.95奈米，此舉是DRAM技術演進的關鍵一步，其核心意義在於極大化單一晶片上的記憶體儲存密度，進而提升容量與效能，同時也為製造成本帶來結構性優勢。
半導體微縮帶來的容量與效能躍升

記憶體陣列的半間距（half-pitch）指的是構成記憶單元的金屬導線或電晶體之間的最小距離。將此距離從過去的標準微縮至11.95奈米，意味著在相同面積的晶圓上，可以容納更多、更密集的記憶單元。這直接轉化為DRAM晶片的單顆容量大幅提升，如同G5平台展現的24Gb LPDDR5X產品，較前代提升50%。更高的儲存密度不僅能滿足日益增長的數據儲存需求，尤其是在AI應用和高解析度影音處理等領域，更能顯著提升數據讀寫的傳輸速率。例如，長鑫新發表的LPDDR6，其速率已達12800Mbps，較前代提升約20%，這正是製程微縮與結構優化所帶來的直接效益。
四重曝光技術與高介電常數金屬閘門製程的關鍵作用

實現如此精密的半間距微縮，離不開先進的製程技術。G5平台採用的四重曝光（quadruple patterning）技術，是解決先進製程中光刻解析度極限的重要手段。透過多次精確的光刻與蝕刻步驟，將原本難以直接蝕刻的線條，分解為數個步驟完成，從而達到奈米等級的精確度。此外，記憶體電容深寬比（aspect ratio）的提升至45:1，以及適配DRAM製程的高介電常數金屬閘門（High-K Metal Gate, HKMG）製程的應用，也都是關鍵。HKMG製程能有效減少漏電流，降低功耗，並提高電晶體的開關速度，這對於追求低功耗與高效能的行動裝置（如手機、穿戴裝置）尤為重要。LPDDR6功耗降低20%的表現，便是這些先進製程整合應用的直接體現。
成本效益與產業領導地位的鞏固

儘管先進製程的研發與導入成本高昂，但從長遠來看，製程微縮是降低單位儲存成本最有效的方式。在相同尺寸的晶圓上產出更多容量的DRAM晶片，能顯著攤薄製造成本。長鑫科技透過G5平台的技術突破，不僅在技術規格上與國際頂尖DRAM廠（如SK海力士、美光、三星）的量產製程相當，甚至在某些標準上（如LPDDR6的全球首發量產）展現了競爭力。這有助於長鑫鞏固其在中國乃至全球DRAM市場的地位，並為其進一步擴張市佔奠定基礎。

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