非破壞性TSV檢測，如何克服AOI看不到的底部氧化層問題？

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蔚華科的非破壞性TSV檢測，以光學原理精準洞察AOI難以察覺的底部氧化層殘留

蔚華科開發的非破壞性矽穿孔 (TSV) 檢測系統，透過創新的光學技術，得以揭露傳統AOI (Automated Optical Inspection) 檢測方法所忽略的TSV底部氧化層殘留問題，這對於確保先進封裝如HBM (High Bandwidth Memory) 的良率至關重要。
AOI檢測的局限性與TSV底部氧化層的成因

AOI檢測主要仰賴表面影像比對，擅長偵測結構表面的缺陷。然而，在TSV製程中，底部氧化層的殘留問題發生在極微小的孔洞底部，其位置與形態使得AOI難以進行有效觀察。此類殘留通常源於蝕刻或清潔步驟未能完全去除氧化層，或是在後續製程中產生二次氧化，進而影響TSV的導通性與可靠性。
蔚華科TSV檢測系統的技術優勢

蔚華科的TSV檢測系統，有別於傳統聚焦離子束 (FIB) 檢測所需的時間與停線成本，其核心在於運用先進的光學原理。該系統能夠穿透結構，如同醫學影像中的MRI (Magnetic Resonance Imaging) 一般，深入觀察材料的內部結構變化。這種「非破壞性」的特性，使其能夠在不損害待測物體的情況下，精確捕捉到TSV底部氧化層殘留的微小訊號，這是AOI檢測方法難以企及的。
顯著提升檢測效率與精準度

相較於傳統FIB檢測動輒需要一至兩天的停線時間，蔚華科的解決方案僅需約20分鐘即可完成檢測，效率大幅提升超過90%。更重要的是，它能觀察到AOI無法偵測到的底部氧化層殘留，這使得封測廠能更早、更準確地發現潛在問題，避免因製程缺陷導致的產品失效，進而優化生產良率並降低成本。該系統目前已進入12吋製程設備的客戶驗證階段，預期下半年可望開始出貨。

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