韓系DRAM雙雄同步擴產，對市場供需平衡有何影響？

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韓系 DRAM 雙雄擴產將顯著擴大全球供給，中長期供需平衡面臨挑戰

SK 海力士與三星電子同步擴大 DRAM 產能的計畫，預示著本十年末全球 DRAM 供給側將迎來顯著擴張，這對中長期的市場供需平衡構成了潛在的挑戰。SK 海力士目標在 2030 至 2031 年間將 DRAM 月產能從約 55 萬片提升至約 100 萬片，其中龍仁新廠預計 2030 年上半年將新增約每月 36 萬片產能，清州 M15X 廠也將在 2027 年達到每月 8 萬片產能。三星電子則計劃加快平澤 P4 廠的 DRAM 投資，並預計從 2027 年起為 P5 產線增加產能，總計至 2027 年每月新增約 15 萬片產能。
AI 需求能否持續消化新增供給仍是關鍵

儘管 SK 海力士與三星電子的擴產計畫規模龐大，但其最終能否順利實現並消化新增產能，很大程度上取決於 AI 資料中心等下游需求的持續增長力道。供應商方面對此計畫的落地持謹慎態度，指出短期內擴產將為設備與材料供應鏈帶來可觀的訂單增量，但中長期市場的消化能力仍是變數。一般而言，AI 伺服器對高頻寬記憶體（HBM）的需求強勁，但整體 DRAM 市場的擴張速度若超過終端需求的成長，則可能引發供過於求的局面。
DRAM 價格中長期面臨下行壓力

韓系雙雄同步擴產的趨勢，意味著全球 DRAM 供給側在本十年末將迎來大規模的增長。若新增產能的釋放速度快於市場需求的成長，將可能打破現有的供需平衡，進而對 DRAM 價格構成中長期下行壓力。過往 DRAM 市場的週期性波動，往往與廠商大規模擴產後遭遇需求不如預期有關。在當前 AI 應用快速發展的背景下，雖然為 DRAM 市場帶來了新的成長動能，但若擴產規模過於龐大，仍可能加劇市場競爭，影響價格穩定性。
產業格局預示著 DRAM 供給側的結構性轉變

SK 海力士將新增產能聚焦於 DRAM 生產，並將 NAND 快閃記憶體業務轉向技術升級，顯示出其對 DRAM 市場的戰略側重。同時，三星電子也在加速 DRAM 領域的投資。這種韓系廠商在 DRAM 領域的同步擴張，預示著全球 DRAM 供給側將在本十年末迎來一次顯著的結構性轉變。此舉將進一步鞏固韓國廠商在全球 DRAM 市場的領導地位，同時也可能對其他地區的 DRAM 製造商帶來競爭壓力。

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