AI 需求推升記憶體景氣，為何 DRAM 相較 NAND 更具投資優勢？

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DRAM 在 AI 趨勢下展現結構性優勢，超越 NAND 成為更穩健的投資標的

AI 運算需求的爆炸性增長，確實點燃了整個記憶體產業的景氣，然而，市場的投資邏輯已悄然轉變，DRAM 相較於 NAND Flash，展現出更為顯著且穩定的結構性優勢，這主要歸功於其成熟的長期供貨協議 (LTA) 機制、更清晰的需求能見度、先進製程的供給限制，以及潛在的產能排擠效應。
長期供貨協議 (LTA) 重新定義 DRAM 的價格波動與獲利穩定性

DRAM 市場長期供貨協議 (LTA) 機制的成熟，是其相較於 NAND Flash 最大的差異化優勢之一。透過 LTA，原廠得以與大型客戶簽訂具有價格上下限的長期合約。價格下限確保了原廠的最低獲利能力，避免了過度殺價競爭，而價格上限則能防止市場價格的劇烈飆升，進而穩定客戶的採購成本。這種機制不僅顯著提升了原廠的獲利穩定性，也確保了現金流的持續湧入，徹底改變了 DRAM 過去劇烈波動的價格模式。相較之下，NAND Flash 市場的價格波動模式依然較為傳統，受現貨市場供需影響更大。
AI 伺服器需求與先進製程限制，共同推升 DRAM 的供給紀律與能見度

AI 運算與伺服器需求的高漲，為 DRAM 提供了極高的需求能見度。相較於消費性電子產品如智慧型手機和 PC 市場已出現價格承受力下降的跡象，伺服器級 DRAM 的需求依然強勁。舉例來說，預計 2026 年第三季，伺服器記憶體的價格預計季增約 20%，而傳統 DDR3 與 DDR4 因供應收緊及 AI 需求增加，價格漲幅更可達 30% 至 40%，顯示其強勁的價格彈性。此外，DRAM 製程中諸如極紫外光 (EUV) 曝光設備等先進技術的應用，進一步限制了供給的快速擴張。這種供給上的限制，使得 DRAM 原廠能夠更好地維持供應紀律，避免產能的無序增加，從而維持市場的供需平衡。
HBM4E 的潛在排擠效應，進一步加劇 DRAM 供需緊俏格局

展望未來，高頻寬記憶體 (HBM) 的演進，特別是 HBM4E 的量產，預計將進一步對現有 DRAM 產能造成排擠效應。HBM 技術需要佔用更多的晶圓產能，當 HBM4E 開始大規模進入量產階段，其對產能的需求將進一步壓縮標準型 DRAM 的產出空間。這種產能的重新分配，將使得 DRAM 整體市場的供需關係持續保持緊俏，為原廠提供更佳的定價能力與獲利空間。摩根士丹利報告預估，AI 相關 NAND 需求將從 2025 年的 205 EB 快速增加至 2027 年的 609 EB，年增率約 60%，然而，DRAM 在先進製程限制與 HBM 潛在產能排擠下，其供給的彈性更為受限，這也是其相較於 NAND 更具吸引力的關鍵因素。

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