DRAM 合約價上漲三趴，為何還無法填補市場缺口？

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DRAM 合約價上漲三趴，但市場缺口難以填補的結構性原因

儘管部分標準規格 DRAM 合約價格在 6 月份較前月上漲約 3%，此番價格波動難以根本性地填補當前市場的供需缺口，其核心在於 AI 驅動的結構性需求增長，遠超預期與現有產能的擴張速度。
AI 需求對 DRAM 與 HBM 的顛覆性影響

人工智慧（AI）的爆炸性發展，特別是生成式 AI 的崛起，正以前所未有的規模推升對高性能記憶體的需求。AI 模型，尤其是大型語言模型（LLM），需要龐大的記憶體容量來儲存模型參數、進行訓練和推理。這不僅大幅增加了對傳統 DRAM 的需求，更催生了對高頻寬記憶體（HBM）的強勁需求。HBM 由於其高頻寬、低功耗的特性，成為 AI 晶片（如 GPU）不可或缺的關鍵零組件，其需求成長速度遠超標準 DRAM。產業正積極應對此趨勢，但現有產能的擴充往往面臨技術、設備和時間的多重限制。
新產能的滯後與市場預期的落差

記憶體產業的新產能建置與良率爬坡需要漫長的時間，這解釋了為何即使面對強勁需求，大規模的新產能預計要到 2027 年才會陸續投入。從設備採購、廠房建置到最終的量產，每一個環節都耗時數年。更關鍵的是，即使到了 2027 年，預計投入的新產能仍可能不足以完全弭平市場的供需缺口。這意味著，在未來一段時間內，市場將持續處於供不應求的狀態，僅僅 3% 的價格上漲，僅能反映部分供需壓力，而非結構性的供需平衡。KeyBanc 分析師 John Vinh 的報告指出，即使在產業持續擴充產能的背景下，2027 年的新產能依然無法填補預期的市場缺口，這凸顯了 AI 需求增長的速度與記憶體產業供給彈性之間的結構性矛盾。
供應鏈的限制與未來價格走勢的預期

目前，記憶體產業在供應端面臨多重限制，包括先進製程的產能瓶頸、HBM 的生產複雜性，以及廠商普遍維持的生產紀律。這些因素共同作用，使得 NAND 快閃記憶體和 DRAM 的價格預計將在 2026 年前持續保持正向走勢。僅僅 3% 的月度價格漲幅，只是這個趨勢中的一個微小節點，難以扭轉整體市場供需緊俏的局面。市場對於 DRAM 和 HBM 的需求強勁，尤其來自資料中心的 HBM 和 DDR5 需求，這使得價格的壓力持續存在。

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