DRAM 微縮逼近極限，誰將引領新技術路線？

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DRAM 微縮逼近極限，SK 海力士與三星各擁異質化技術路線

SK 海力士透過垂直通道 4F2 單元 DRAM 技術，以及三星的 VS-DRAM 3D DRAM 架構，正分別為 DRAM 產業開闢超越傳統平面微縮極限的新途徑。這兩家業者展現了在先進封裝與晶片堆疊技術上的策略差異，預示著未來記憶體技術的競爭將從單純的製程微縮，轉向更複雜的立體結構整合。
SK 海力士以過渡性技術鞏固市場地位

SK 海力士發表之垂直通道 4F2 單元 DRAM 技術，旨在解決傳統 6F2 架構在電磁干擾與漏電方面的瓶頸。透過採用「雙閘極」結構及薄膜矽通道，該技術有效抑制了閘極誘導汲極洩漏（GIDL），顯著提升了資料保持時間。更重要的是，其利用相鄰晶體管共享背閘的設計，降低了串擾噪聲，這被視為在邁向完全 3D DRAM 架構前，一項具備高度商業化潛力的過渡性解決方案，能為現有 DRAM 產品線帶來即時的效能提升。
三星開創 3D DRAM 新紀元，挑戰更高層級堆疊

三星電子則透過其名為「VS-DRAM」的 3D DRAM 架構，直接挑戰了 DRAM 的立體堆疊極限，成功實現了 16 層記憶體單元的垂直堆疊。為應對此複雜結構帶來的驅動性能挑戰，三星導入了環繞閘極（GAA）結構，並結合晶圓級「Peri-on-Cell」熔融鍵合技術，將周邊控制電路與記憶體陣列晶圓進行整合。透過矽穿介質通孔（TSV）建立電氣連接，此技術不僅展示了三星在高吞吐 I/O 方面的深厚技術儲備，更為 DRAM 的未來發展開闢了全新的 3D 整合路徑。
記憶體產業競爭重心轉移至立體堆疊與先進封裝

從 DRAM 的技術演進，乃至於 NAND 快閃記憶體領域鎧俠與 SanDisk 共同提出的「多晶圓混合鍵合技術」（MSA-CBA），皆顯示出產業趨勢已從追求單一晶圓的平面微縮，轉向更高層級的晶片堆疊與先進封裝整合。無論是 SK 海力士的過渡方案，或是三星的 3D DRAM 架構，其核心競爭力都將建立在對奈米級鍵合技術的掌握程度。未來，能夠實現高精度晶圓對接、晶圓薄化、化學機械研磨以及先進封裝能力的企業，將在下一代 AI 記憶體市場中扮演關鍵角色。

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