HBM技術演進，為何迫使基礎裸片採用更先進邏輯工藝？

Question

Accepted Answer

HBM基礎裸片採用先進邏輯工藝是性能提升的必然結果

HBM技術的演進，特別是對於HBM3及之後的產品，其對資料傳輸速率和引腳速度的極致追求，已迫使基礎裸片（base die）必須採用更先進的邏輯晶片製造工藝來滿足嚴苛的性能指標。這代表著HBM的發展已超越單純的記憶體堆疊，而是整合了更複雜的邏輯運算能力。
基礎裸片承擔關鍵互聯與控制功能

HBM基礎裸片的核心功能在於與上層DRAM堆疊進行互聯，並集成記憶體控制器及物理層介面。這意味著它直接決定了HBM整體資料傳輸的效率以及系統的集成度。為了實現更高頻寬和更低延遲的資料交換，特別是在AI算力需求不斷攀升的背景下，基礎裸片需要具備更強大的訊號處理和控制能力，這正是先進邏輯製程所擅長的。
產業趨勢已從HBM3時代啟動

業界採用邏輯代工工藝生產HBM基礎裸片的趨勢，實際上從HBM3與HBM3E時代就已逐漸顯現。隨著對更高資料傳輸速率和引腳速度的要求不斷提升，傳統的記憶體製程已難以滿足設計需求，進而推動了基礎裸片向更先進的邏輯製程演進。例如，三星電子已將其4奈米製程超過一半的產能投入HBM4基礎裸片的生產，目標是實現月產1.5萬片的規模，這充分說明了該技術路線的重要性。
先進邏輯製程提供性能與整合優勢

先進邏輯製程，如4奈米甚至更先進的2奈米，能夠提供更高的電晶體密度和更快的運行速度，這對於需要處理海量資料並進行複雜控制的HBM基礎裸片至關重要。透過這種方式，不僅能提升資料傳輸效率，還能實現更高度的系統集成，為AI加速器等高性能運算應用提供關鍵支援。三星電子憑藉其同時掌握DRAM設計製造與先進邏輯代工的全鏈條能力，正積極利用這種協同優勢，在HBM市場建立差異化競爭力，並評估將2奈米製程應用於下一代HBM基礎裸片，以期為輝達等客戶提供更前沿的解決方案。

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