HBM 技術升級至 HBM4，將對記憶體產能與供應鏈結構帶來什麼改變？

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HBM4 技術升級對記憶體產能和供應鏈結構的影響

隨著輝達（NVIDIA）GB300 AI 晶片高頻寬記憶體（HBM）容量提升至 288GB，以及即將推出的 Vera Rubin 平台將從 HBM3E 升級至 HBM4 規格，記憶體產業正迎來重大變革。HBM4 採用 16 層堆疊設計，相較於 HBM3E 的 12 層堆疊製程更加複雜，這意味著對記憶體產能的需求將會大幅增加。輝達執行長黃仁勳已向 DRAM 廠商喊話，鼓勵擴增產能，並保證輝達將全數消化，顯示 AI 浪潮對記憶體需求的強勁推動。
供應鏈的轉變

HBM4 的技術升級不僅影響產能，也將重塑供應鏈結構。據傳，韓國兩大記憶體廠三星電子與 SK 海力士已納入 Vera Rubin 平台的 HBM4 供應鏈。由於 HBM 從晶圓製造到封裝完成的週期超過六個月，兩家公司可能已在本月啟動量產。市場預估，2026 年 SK 海力士將取得輝達超過一半的 HBM 採購量（包含 HBM3E 與 HBM4），而三星則有望拿下 Vera Rubin 平台專用 HBM4 的大部分訂單。這顯示三星正在積極追趕 SK 海力士，爭奪 HBM 市場的領導地位。
市場佔有率的變化

產業預測顯示，SK 海力士仍將以約 50% 的全球 HBM 位元產能占比維持龍頭地位，但較 2025 年的 59% 略有下降；三星則可望將全球市占從 20% 提升至 28%，追趕態勢明顯。這表明 HBM4 的升級不僅僅是技術的提升，更是記憶體廠商重新洗牌市場佔有率的關鍵機會。隨著 AI 晶片不斷升級，記憶體廠商必須不斷提升技術和擴大產能，才能在競爭激烈的市場中保持領先地位。

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