HBM4E晶圓供貨吃緊，輝達黃仁勳為何請SK海力士「多做一點」？

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SK 海力士 HBM4E 晶圓供應量受輝達執行長黃仁勳親筆簽名凸顯其重要性，反映出市場對此關鍵 AI 零組件的強勁且持續的需求。
全球 AI 記憶體需求激增，SK 海力士擴產應對

全球人工智慧 (AI) 應用爆炸性成長，帶動對高速、大容量記憶體的需求急劇攀升。SK 海力士為此啟動了龐大的產能擴張計畫，預計在未來五年內將整體晶圓產能翻倍。這項策略性部署不僅是為了滿足當前市場的迫切需求，更是對預期將持續到 2030 年的 AI 記憶體供應瓶頸的先發制人回應。具體而言，SK 海力士規劃在 2026 年底前，將其第六代 10 奈米級 DRAM (1c DRAM) 的月產量從目前的 2 萬片，大幅拉升至 16 萬至 19 萬片的規模，展現其擴大產能以掌握市場領導地位的決心。
黃仁勳簽名象徵對 HBM4E 供應的極度渴求

輝達執行長黃仁勳親筆在 SK 海力士的 HBM4E 晶圓上留下「請多做一點」(Please make more) 的簽名，此舉已然成為市場上對 SK 海力士高頻寬記憶體 (HBM) 供應能力的強力佐證。SK 海力士目前在全球 HBM 市場佔有約 58% 的領導性市佔率，其 HBM 產品的穩定供應對於輝達等 AI 晶片巨頭至關重要。黃仁勳的此番表態，直接且鮮明地傳達了市場對 SK 海力士 HBM4E 晶圓供應量的極度渴求，以及對其產能擴張的殷切期盼。
SK 海力士深化 AI 產業鏈合作，鞏固領導地位

SK 海力士不僅透過擴大產能來應對市場需求，更積極深化與關鍵合作夥伴的關係，以鞏固其在 AI 產業鏈中的領導地位。公司正與台積電緊密合作開發下一代 HBM4 的基礎層技術，這項封裝技術被視為整合記憶體與邏輯晶片的關鍵。SK 海力士已表明準備好配合輝達的時程供應 HBM4E，並期望在新一代輝達平台中持續扮演主要供應商的角色。此舉顯示 SK 海力士不僅關注產能，更著眼於技術合作與客戶關係的長遠佈局，以確保其在快速演進的 AI 記憶體市場中保持領先。

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