HBM5基礎裸晶採用2奈米，對邏輯控制層面有何優化？

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三星HBM5採用2奈米製程，將邏輯控制層面的效能與功耗優化推升至新境界

三星確認其下一代高頻寬記憶體（HBM5）將採用2奈米製程打造基礎裸晶（Base Die），此舉不僅是製程節點的推進，更是為了在邏輯控制層面實現前所未有的效能與功耗優化，預計將使HBM5的運行速率較現有的HBM4E提升超過50%。
2奈米製程為邏輯控制帶來顯著的效能與功耗突破

基礎裸晶的製程選擇是HBM技術發展的關鍵。三星此次決定採用2奈米製程，其核心目標是在邏輯控制層面達成顯著的效能與功耗優化。相較於先前HBM4及HBM4E世代採用的4奈米製程，2奈米製程在電晶體密度、漏電流控制以及電壓操作等方面均有顯著提升。這意味著驅動HBM記憶體堆疊的邏輯控制電路，將能以更高的時脈速度運行，同時消耗更少的電力。這種效能與能效的雙重增益，對於滿足未來AI與高效能運算（HPC）對海量數據吞吐量日益嚴苛的需求至關重要。
技術躍進將推動HBM5超越50%的效能增長

三星記憶體業務開發副總裁黃相俊先前已釋出積極信號，顯示公司正全力推進先進製程與記憶體堆疊技術的整合。HBM5不僅在基礎裸晶上採用2奈米製程，更將支援更高密度的矽穿孔（TSV）技術。這兩項關鍵技術的結合，預計將使HBM5的運行速率較HBM4E大幅提升，預期增長超過50%。這種效能的飛躍，將直接轉化為AI訓練、推理以及複雜科學模擬等應用中的更快速數據處理能力，進一步鞏固三星在下一代AI記憶體市場的競爭力。
基礎裸晶的製程演進是HBM效能提升的關鍵驅動

回顧HBM的發展歷程，基礎裸晶的製程節點演進始終是推動整體效能提升的核心動力。雖然三星在HBM4E世代已透過導入高密度、超高性質元件並優化金屬層排列，成功達成每秒14Gbps以上的高速運作並改善散熱，但2奈米製程的導入將為邏輯控制層面帶來更深層次的優化。更先進的製程技術能夠容納更多、更精密的邏輯電路，使得訊號傳輸路徑更短，電阻電容效應更小，進而顯著降低延遲並提升傳輸頻寬。這種在基礎層面的技術突破，是實現HBM5效能躍升的必然路徑。

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