Hyper NA曝光機十年後就緒，將縮小至何種電路特徵？

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Hyper NA曝光機預計十年後可印製5奈米級電路特徵

艾司摩爾(ASML)與蔡司(Carl Zeiss)合作研發的下一代曝光機技術「Hyper NA」，預計約在十年後準備就緒，其關鍵能力在於能夠印製小至5奈米級的電路特徵，這項突破將顯著提升晶片製造的微縮能力，進一步推動半導體產業的效能提升。
Hyper NA技術鎖定5奈米級電路微縮

根據發表的論文，Hyper NA技術的問世，目標是將晶片上可曝光形成的電路特徵尺寸，縮小至5奈米這個級別。這項進展相較於現行最先進的High NA EUV設備，能夠印製的特徵尺寸將縮小超過三分之一。雖然晶片製造商持續透過三維(3D)堆疊等先進設計來提升晶片效能，但電路特徵的微縮仍然是改善晶片速度、降低功耗的根本途徑之一，而曝光技術正是實現此目標的關鍵限制因素。
沿用現有技術基礎，降低導入門檻

Hyper NA的發展藍圖中，一項重要的規劃是盡可能沿用現有的技術基礎，以降低導入門檻。例如，光學合作夥伴蔡司已能製造出精度足以支援Hyper NA的反射鏡。此外，新機台的體積預計僅會略大於目前雙層巴士大小的High NA機台。更重要的是，現有的光源技術預計仍可沿用，即使未來可能改採自由電子雷射(Free Electron Laser)，也不會對現有的照明系統設計造成顛覆性的改變。這意味著，投入Hyper NA的研發與生產，將在很大程度上建立在成熟的EUV基礎之上，而非從零開始。
產業導入時程與未來世代展望

現行的High NA EUV設備，已有業者開始導入生產。例如，英特爾(Intel)已開始將其用於生產線；三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)則規劃於2028年跟進；而台積電(TSMC)則預計在2030年採用。Hyper NA的預計就緒時間點約在十年後，意味著它將在這些先進製程節點之後，成為下一代的關鍵曝光技術。對於研發自由電子雷射光源的xLight等新創公司，以及投入X光曝光技術的Substrate而言，Hyper NA的發展也提供了重要的參考。至於Hyper NA之後的更先進世代，作者推測可能需要使用更短波長的光源，目前此類技術仍處於學術研究階段。

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