LDP技術的潛在優勢，能否讓中國在EUV設備市場分一杯羹？

Question

Accepted Answer

LDP技術的技術路徑選擇，預示中國在EUV設備市場尋求差異化突破

中國自主研發的極紫外光（EUV）曝光機原型機成功出光，採用了雷射誘導放電電漿（LDP）技術，這與 ASML 的雷射激發電漿（LPP）技術路線不同。LDP 技術的核心優勢在於其系統體積更小、功耗更低，這為中國在未來大規模部署 EUV 設備時提供了潛在的成本和效率優勢，並可能影響現有由 ASML 主導的 EUV 設備市場格局。
LDP技術的差異化路線，為中國提供另一種EUV實現途徑

相較於 ASML 廣泛採用的 LPP 技術，中國團隊選擇的 LDP 技術在原理上有所不同。LDP 通過特定的放電機制產生電漿，相較於 LPP 利用高功率雷射轟擊錫滴的方式，LDP 在系統整合與能耗管理上展現出更小的體積和更低的功率需求。這意味著，如果 LDP 在實際生產中的穩定性與良率能夠達到先進製程的要求，它將為中國提供一條不同於現有市場龍頭的 EUV 設備發展路徑，尤其有利於其在國內進行大規模推廣和應用。
潛在的市場衝擊與挑戰並存

LDP 技術若能實現高功耗效率，確實可能對當前以 ASML 為首的 EUV 設備供應鏈範式帶來衝擊，打破現有的市場稀缺紅利。然而，從 LPP 到 LDP，這條技術路線的選擇只是進入 EUV 設備市場的第一步。中國在 EUV 技術鏈路上雖然已實現光源的初步貫通，但後續仍面臨著極其嚴苛的工程挑戰，包括對反射率要求極高的鉬/矽布拉格反射鏡、光阻劑的靈敏度問題，以及光罩檢測等關鍵環節。這些工程瓶頸的突破程度，將直接決定 LDP 技術能否真正實現商業化量產，並在國際市場上分得一杯羹。
國家戰略投入與長期發展潛力

中國在此次 EUV 設備研發上的投入，體現了國家級的戰略決心，匯集了包括華為、哈工大、中科院等多個頂尖機構，總投資規模估計高達 400 億美元。截至 2026 年 6 月，已累積超過 1200 件 EUV 相關專利申請，顯示出其在技術積累上的長遠佈局。儘管如此，先進製程的設備研發是一場長期的馬拉松，需要克服從原型機出光到大規模穩定量產之間巨大的技術鴻溝。現階段，中國已透過浸潤式深紫外光曝光機（DUV）配合自對準四重圖形技術（SAQP）實現了 5 奈米級晶片的量產，這為其在 EUV 技術尚未成熟前提供了重要的備援路徑，也為其爭取在先進製程領域的發展時間。

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